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第26回日本MRS年次大会 プログラムリスト: Poster

A-2 : 分極に由来する物性発現と新機能材料

Polarization related ferroic properties and new functional materials

Entry No Presentation Date Award Presenter Name Affiliation Paper Title
Dec. 19
15:30 - 17:30
産業貿易センタービル Hall (1F) / INDUSTRY & TRADE CENTER , Hall (1F)
Chair :
中嶋 宇史 (東京理科大学) Takashi Nakajima (Tokyo University of Science)
2051   A2-P19-001 Dec. 19  松尾 拓紀
Hiroki MATSUO
東京大学大学院工学系研究科
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
BiFeO3強誘電体薄膜におけるバルク・ドメイン壁光起電力効果の定量化
Quantification of the Bulk and Domain-Wall Photovoltaic Effects in Ferroelectric BiFeO3 Thin Films
2163   A2-P19-002 Dec. 19  *M 高山 幸太
Kota TAKAYAMA
兵庫県立大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, University of Hyogo
MnドーピングによるBiFeO3薄膜の異常光起電力効果の増強
Enhancement of Anomalous Photovoltaic Effect by Mn Doping to BiFeO3 Thin Films
2381   A2-P19-003 Dec. 19  *M 土森 祥平
Shohei TSUCHIMORI
名古屋大学 未来材料・システム研究所
Institute of Materials and Systems for Sustainabilty、NAGOYA University
化学溶液法により調製したZnO/BiFeO3積層薄膜の光電流特性増強
Enhancement of photocurrent properties of ZnO/BiFeO3 layered thin films prepared by chemical solution deposition
2010   A2-P19-004 Dec. 19  *M 並木 航
Wataru NAMIKI
東京理科大学理学研究科応用物理学専攻
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science
Nd0.6Sr0.4FeO3-δ薄膜の結晶構造と電子特性
Crystal Structure and Electrical Properties of Nd0.6Sr0.4FeO3-δ Thin Film
2286   A2-P19-005 Dec. 19  犬塚 淳
Atsushi INUZUKA
東京大学大学院工学系研究科
Guraduate School of Engineering, University of Tokyo
マンガン置換ニオブ系強誘電体薄膜の光起電力特性評価
Photovoltaic Properties of Manganese-Doped Niobium-based Ferroelectric Films
2618   A2-P19-006 Dec. 19  *D 尾地 真典
Masanori OCHI
東京理科大学 応用物理学科
Department of Applied Physics, Tokyo University of Science
BaCe1-x(Y,Zr)xO3-d薄膜の構造と高イオン伝導性
Structure and high ion conductivity of BaCe1-x(Y,Zr)xO3-d thin film
2282   A2-P19-007 Dec. 19  *M 藤井 優宇
Yuu FUJII
東京工業大学 鶴見・武田研究室
Tokyo institute of Technology University Tsurumi / Takeda Laboratory
固体イオンキャパシタ用ガーネット型酸化物リチウムイオン伝導体の合成と特性評価
Fabrication and Characterization of Li-ion Conducting Garnet-Type Metal Oxide for Solid State Ionic Capacitor
2011   A2-P19-008 Dec. 19  *M 古市 想人
Shoto FURUICHI
東京理科大学
Tokyo University of Science
酸素欠陥を有するBPY薄膜の構造と電気特性
Structural and Electrical Properties of BaPr1-xYxO3-δ Thin Film with Oxygen Vacancies
2647   A2-P19-009 Dec. 19  *B 玉井 瑛
Akira TAMAI
東京理科大学
Tokyo Uniersity of Science
SrCe0.95Sm0.05O3薄膜の構造・電気特性
Structural and Electrical Properties of SrCe0.95Sm0.05O3 Thin Film
2531   A2-P19-010 Dec. 19  野浪 勇人
Hayato NONAMI
大阪府立大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, University of Osaka Prefecture
有機強誘電体P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いたCe添加Siのキャリア制御
Carrier control of Ce doped Si using organic ferroelectric, P(VDF-TrFE) as gate insulator
2375   A2-P19-011 Dec. 19  *M 朽名 和俊
Kazutoshi KUTSUNA
東京大学大学院工学系研究科
University of Tokyo
SrRuO3電極を用いたBaTiO3系薄膜キャパシタの光起電力特性
Photovoltaic properties of BaTiO3-based thin film capacitors with SrRuO3 electrodes
2639   A2-P19-012 Dec. 19  *M 海老澤 遼太郎
Ryotaro EBISAWA
東京理科大学
Tokyo University of Science
MOCVD法によって作製されたアナターゼ/ルチルTiO2薄膜における光触媒活性の結晶相および配向依存性
Crystal phase and orientation dependence of photocatalytic activities of anatase and rutile TiO2 thin films fabricated by MOCVD
2646   A2-P19-013 Dec. 19  *B 関根 正貴
Masaki SEKINE
東京理科大学
Tokyo University of Science
格子歪を持つTi0.9Fe0.1O2-d薄膜の構造・電気特性
Structural and Electrical Properties of Ti0.9Fe0.1O2-d Thin Film with Lattice Distortion
2229   A2-P19-014 Dec. 19  *M 瀬戸 翔太
Shota SETO
兵庫県立大学大学院工学研究科
Graduate School of engineering, University of Hyogo
パターン化SrTiO3基板によるBiFeO3薄膜への帯電ドメインウォールの導入
Artificial Induction of Charged Domain Walls into BiFeO3 Thin Film using Patterned SrTiO3 Substrate
2364   A2-P19-015 Dec. 19  *M 栗田 彰仁
Akihito KURITA
東京理科大学
Tokyo University of Science
ビスマス層状構造強誘電体(K0.5Bi0.5)Bi2Nb2O9セラミックスの電気的諸特性
Electrical Properties of Bismuth-Layer-Structure Ferroelectric (K0.5Bi0.5)Bi2Nb2O9 Ceramics
2385   A2-P19-016 Dec. 19  *M 籔内 直人
Naoto YABUUCHI
名古屋大学未来材料・システム研究所
Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University
固相法によって作製したMnドープNaNbO3-BaTiO3圧電セラミックスの電気的特性
Electrical properties of Mn-doped NaNbO3-BaTiO3 piezoelectric ceramics prepared by solid-state reaction
2613   A2-P19-017 Dec. 19  *M 則武 幸汰
Kota NORITAKE
名古屋大学 未来材料・システム研究所 
Institute of Materials and systems for Sustainability, Nagoya University
Electrical properties of Mn-doped (Ba1-xCax)TiO3 piezoelectric ceramics
Mnをドープした(Ba1-xCax)TiO3圧電セラミックスの電気的特性
2648   A2-P19-018 Dec. 19  *M 畠 希
Nozomi HATA
東京理科大学
Tokyo Uniersity of Science
パルス電界を用いた強誘電体薄膜のリーク電流特性
Leakage current properties of ferroelectric thin films measured using pulsive electric field
2458   A2-P19-019 Dec. 19  *M サラ ナジュワ
Sarah najwa ZAMALIK
山梨大学
University of Yamanashi
ドーピングによるBT-BMT-BF圧電セラミックスの微細構造制御
Microstructure Control for BT-BMT-BF Piezoelectric Ceramics by Doping
2424   A2-P19-020 Dec. 19  *M 松本 健
Ken MATSUMOTO
山梨大学
University of Yamanashi
ソルボサーマル固化法によるチタン酸バリウム/ビスマス系圧電ナノコンポジットセラミックスの電気特性
Electrical Properties of Barium Titanate/Bismuth-based Piezoelectric Nanocomposite Ceramics by Solvothermal Solidification Method
2212   A2-P19-021 Dec. 19  *M 高田 愛梨
Eri TAKADA
兵庫県立大学大学院
University of Hyogo
リンゴ酸錯体水溶液法を用いた(Na0.50K0.45Li0.05)NbO3(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.10Ti0.90)O3固溶体の圧電特性と局所構造解析
Piezoelectric properties and local structure analysis of (Na0.50K0.45Li0.05)NbO3(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.10Ti0.90)O3 solid solutions by malic acid complex solution method
2439   A2-P19-022 Dec. 19  抜水 一輝
Kazuki NUKUMIZU
山梨大学大学院 医工農学総合教育部 工学専攻 応用化学コース
University Of Yamanashi
正方晶-六方晶2相共存粒子を用いた強磁場電気泳動法による<111>配向正方晶チタン酸バリウムセラミックスの圧電特性
Piezoelectric Properties of (111)-oriented Tetragonal BaTiO3 Ceramics Fabricated by an ElectroPhoretic Deposition in a high Magnetic Field with Tetragonal-Hexagonal Biphase Particles
2538   A2-P19-023 Dec. 19  *M 垣内 博行
Hiroyuki KAKIUCHI
山梨大学
University of Yamanashi
低温プロセスによる常誘電体/常誘電体複合セラミックスへの歪導入とその誘電特性
Introduction of Strains in Paraelectrics/Paraelectrics Composite Ceramics by Low-Temperature Process and Their Dielectric Properties
2253   A2-P19-024 Dec. 19  *M 秋本 恭平
Kyohei AKIMOTO
東京工業大学 物質理工学院 材料系
Materials Science and Engineering, School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology
Ca2Al2SiO7結晶の材料定数とSAW特性
Material Constants and Surface Acoustic Wave Property of Ca2Al2SiO7 Single Crystals
2666   A2-P19-025 Dec. 19  松浦 直人
Masato MATSUURA
総合科学研究機構
Comprehensive Research Organization for Science and Society
中性子小角散乱によるリラクサー強誘電体(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3におけるドメイン相関の研究
Neutron small angle scattering study of domain correlations in the relaxor (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3
2702   A2-P19-026 Dec. 19  *G 中嶋 宇史
Takashi NAKAJIMA
東京理科大学/JSTさきがけ
Tokyo University of Science//PRESTO, Japan Science and Technology Agency
スピンコート法によって作製されたナイロン11薄膜の構造と強誘電特性
Structure and Ferroelectric Properties of Nylon-11 Thin Film Prepared by Spin-Coating
2600   A2-P19-027 Dec. 19  二川 康宏
Yasuhiro FUTAKAWA
日本大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Technology Nihon University
交換結合FePt孤立磁性微粒子上GdFeCo層の磁化動特性
Magnetization dynamics of exchange coupled GdFeCo thin layer / FePt isolated particle