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第28回日本MRS年次大会 プログラムリスト: Poster

C-3:先端プラズマ技術が拓くナノマテリアルズフロンティア

C-3:Frontier of Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies

Entry No Presentation Date Award Presenter Name Affiliation Paper Title
Dec. 18
16:10 - 18:00
北九州国際会議場 イベントホール
Kitakyushu International Conference Center Event Hall
2014   C3-P18-001 Dec. 18  川崎 仁晴
Hiroharu KAWASAKI
佐世保高専
National Institute of Technology, Sasebo College
粉体ターゲットスパッタリング法による2次元分布を持つ薄膜作製 
Two-dimensional Thin Film Preparation by Sputtering Deposition using Powder Targets 
2201   C3-P18-002 Dec. 18  篠原 正典
Masanori SHINOHAR
佐世保工業高等専門学校
National Institute of Technology, Sasebo College
エーテルを原料分子に用いたアモルファス炭素膜のプラズマ気相堆積
Plasma enhanced chemical vapor deposition of amorphous carbon film with ether as a source molecule
2408   C3-P18-003 Dec. 18  杉山 雅浩
Masahiro SUGIYAMA
静岡大学大学院総合科学技術研究科
Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka Univ.
マイクロ波水素プラズマによるCVD合成MoS2薄膜の高速脱硫
Rapid Desulfurization by MW Hydrogen Plasma of CVD-grown MoS2 Thin Film
2540   C3-P18-004 Dec. 18  *B 矢部 宏明
Hiroaki YABE
千葉工業大学工学部
Faculty of Engineering, Chiba Institute of Technology
PECVD法により作製したSiO:CH薄膜の特性に対するO2ガス添加の影響
Influences of O2 Gas Mixture on Properties of SiO:CH Films Deposited by PECVD
2549   C3-P18-005 Dec. 18  *M 原 尚志
Hisayuki HARA
九州大学システム情報科学府
Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University
MHDPCVD法で製膜したa-Si:H膜中のSiH2結合形成におけるクラスタ除去フィルタ及びガス流速の影響
Effects of cluster-eliminating filter and gas velocity on SiH2 bond formation in a-Si:H films deposited by MHDPCVD method
2555   C3-P18-006 Dec. 18  *M 石川 翔太
Shota ISHIKAWA
名古屋大学
Nagoya University
大気圧マイクロ波O2/CF4プラズマを用いた有機物除去処理
Organic-matter removal treatment using atmospheric pressure microwave O2/CF4 plasma
2669   C3-P18-007 Dec. 18  *M 田中 和真
Kazuma TANAKA
九州大学
Kyushu University
プラズマCVD法で製膜した水素化アモルファスシリコン薄膜のラマン強度比ITA/ITOへの製膜前駆体の影響
Effects of film deposition precursors on Raman intensity ratio ITA/ITO of a-Si:H thin films fabricated by plasma CVD method
2672   C3-P18-008 Dec. 18  *D 黄 成和
Sung hwa HWANG
九州大学
Kyushu university
マルチホロー放電プラズマCVD法で形成されたカーボンナノ粒子のサイズと構造の制御
Size and Structure Control of Carbon Nano-particles Synthesized by Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method
2691   C3-P18-009 Dec. 18  *M 大友 洋
Hiroshi OHTOMO
九州大学
Kyushu University
Arプラズマ中の微粒子を用いたポテンシャル分布の評価
Evaluation of potential distribution using a fine particle in Ar plasma
2702   C3-P18-010 Dec. 18  白谷 正治
Masaharu Shiratani
九州大学
Kyushu University
Arプラズマ中に光捕捉した微粒子の位置揺らぎの空間分布
Spatial distribution of position fluctuation of optically trapped fine particle in Ar plasma
2782   C3-P18-011 Dec. 18  *M 三輪 侑生
Yuki MIWA
名城大学
Meijo University
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングによるSi含有DLC膜の成膜
Deposition of Si-doped DLC film by high power impulse magnetron sputtering
2830   C3-P18-012 Dec. 18  古閑 一憲
Kazunori KOGA
九州大学
Kyushu University
高圧マルチホロー放電プラズマCVDを用いた作製した炭素ナノ粒子サイズに対するガス流量の効果
Influence of Ar + CH4 Gas Flow Rate on Size of Carbon Nano-Particles Fabricated using High Pressure Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Process
2908   C3-P18-013 Dec. 18  川添 泰輔
Taisuke KAWAZOE
九州大学大学院工学系研究科
Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University
プラズマによる農産物殺菌の最適なCT値
Optimum ozone CT value for agricultural sterilization by plasma
2911   C3-P18-014 Dec. 18  *B 田野 裕貴
Hiroki TANO
千葉工業大学
Chiba Institute of Technology
斜入射堆積スパッタリング法により作製したWO3薄膜のエレクトロクロミック特性
Electrochromic Properties of WO3 Films Sputtered with Glancing-angle Deposition Scheme
2913   C3-P18-015 Dec. 18  *M ムハンマド アミヌル ヘルミ
Muhammad AMINURUL HELMY
岡山理科大学大学院 工学研究科
Graduate School of Engineering, Okayama University of Science
陰極真空アーク法によるta-C:H膜の摩擦摩耗特性に及ぼす周波数変化によるガス存在の影響
Influence of Gas Presence under Frequency Change on the Friction Abrasion Characteristics of ta-C:H Film Deposited by Cathodic Vacuum Arc Deposition Method
2916   C3-P18-016 Dec. 18  *M 福江 紘幸
Hiroyuki FUKUE
岡山理科大学大学院工学研究科
Graduate School of Engineering, Okayama University of Science
HF-HiPIMS電源システムを用いたDLC成膜技術の開発
Development of DLC Deposition Technology using HF-HiPIMS Power Supply System
2928   C3-P18-017 Dec. 18  呉 準席
Jun-seok OH
大阪市立大学
Osaka City University
Spectroscopic Investigation of Pressure Gradient Sputtering System
Spectroscopic Investigation of Pressure Gradient Sputtering System
2973   C3-P18-018 Dec. 18  *M 中村 将之
Masayuki NAKAMURA
名城大学
Meijo University
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングを用いたTiN膜の形成プロセスにおける気相診断
Gas phase diagnostics on TiN film formation process using high power impulse magnetron sputtering
3003   C3-P18-019 Dec. 18  竹中 弘祐
Kosuke TAKENAKA
大阪大学接合科学研究所
Joining and Welding Research Institute, Osaka University
プラズマ支援反応性スパッタリングで作製しポストデポジションプラズマ処理したIGZO TFTの正電流バイアス不安定性
Positive-current-bias Instability of Post-deposition Plasma-treated IGZO TFTs Prepared with Plasma-assisted Reactive Sputtering
3061   C3-P18-020 Dec. 18  山口 慶樹
Yoshiki YAMAGUCHI
東北大学大学院工学研究科
Department of Electronic Engineering, Tohoku University
ITO電極のプラズマ機能化による数層遷移金属ダイカルコゲナイド透明太陽電池の作製
Plasma functionalization of indium tin oxide for fabrication of transparent solar cell using few-layered transition metal dichalcogenide
3179   C3-P18-021 Dec. 18  大島 多美子
Tamiko OHSHIMA
佐世保工業高等専門学校
National Institute of Technology, Sasebo College
異なるスパッタリング条件の粉末を用いた混合粉末ターゲットによる成膜
Film deposition by mixed powder target using powders with different sputtering conditions