Nov. 14 9:30 - 11:25 万国橋会議センター / Bankokubashi Kaigi Center 401+402室 / Room 401+402 |
|
---|---|
Chair: 平井大悟郎(名古屋大学), 榎木勝徳(島根大学) Daigorou Hirai (Nagoya Univ.), Masanori Enoki (Shimane Univ.) |
|
09:30-09:55 |
ビスマス、鉛-3d遷移金属ペロブスカイト酸化物の系統的な電荷分布変化 東 正樹1,2),酒井 雄樹1,2),西久保 匠1,2),岡 研吾3),山本 孟4)(1)東京工業大学 フロンティア材料研究所,2)神奈川県立産業技術総合研究所,3)近畿大学理工学部,4)東北大学多元物質科学研究所) Masaki AZUMA1,2),Yuki SAKAI1,2),Takumi NISHIKUBO1,2),Kengo OKA3),Hajime YAMAMOTO4)(1)Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology,2)Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology,3)Faculty of Science and Engineering, Kindai University,4)Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University) |
09:55-10:15 |
第一原理計算に立脚した格子振動に由来する負熱膨張挙動の機構解明 望月 泰英(東京工業大学) Yasuhide MOCHIZUKI(Tokyo Institute of Technology) |
10:15-10:25 | 休憩/Break |
10:25-10:40 |
Bi(Fe, Co)O3の面内電場印加によって生じる磁気ドメイン変化の観察 重松 圭1,2,3),勝俣 真綸1),伊藤 拓真1,4),小澤 慶太1),清水 陽樹1),清水 啓佑1),東 正樹1,2,3)(1)東工大フロンティア研,2)神奈川産技総研,3)東工大住友化学次世代環境デバイス協働研究拠点,4)物質・材料研究機構磁性・スピントロニクス材料研究センター) Kei SHIGEMATSU1,2,3),Marin KATSUMATA1),Takuma ITOH1,4),Keita OZAWA1),Haruki SHIMIZU1),Keisuke SHIMIZU1),Masaki AZUMA1,2,3)(1)MSL, Tokyo Institute of Technology,2)KISTEC,3)Sumitomo Chemical Cnex-Generation Eco-Friendly Devices Collaborative Research Cluster, Tokyo Tech.,4)CMSM, National Institute for Materials Science) |
10:40-10:55 |
PbVO3ベース負熱膨張物質の立方晶-正方晶相間ドメイン構造の観察 西久保 匠1,2),酒井 雄樹1,2),押目 典宏3),大和田 謙二3),久留島 康輔4),森 茂生5),東 正樹1,2)(1)神奈川県立産業技術総合研究所,2)東京工業大学フロンティア材料研究所,3)量子科学技術研究開発機構,4)東レリサーチセンター,5)大阪公立大学) Takumi NISHIKUBO1,2),Yuki SAKAI1,2),Norihiro OSHIME3),Kenji OHWADA3),Kosuke KURUSHIMA4),Shigeo MORI5),Masaki AUMA1,2)(1)Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology (KISTEC),2)Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology,3)National Institutes for Quantum Science and Technology (QST),4)Toray Research Center,5)Department of Materials Science, Osaka Metropolitan University) |
10:55-11:10 |
高エントロピー効果によるBサイト置換BiNiO3の負熱膨張の拡大 柴田 勇介1),吉田 駿之介1),西久保 匠1,2),酒井 雄樹1,2),東 正樹1,2)(1)東京工業大学フロンティア材料研究所,2)神奈川県立産業技術総合研究所) Yusuke SHIBATA1),Shunnosuke YOSHIDA1),Takumi NISHIKUBO1,2),Yuki SAKAI1,2),Masaki AZUMA1,2)(1)Laboratory for Materials and Structures,Tokyo Institude of Technology,2)Kanagawa Institute of Industrial Science and Technology) |
11:10-11:25 |
第一原理計算に基づくB(III)F3における熱膨張挙動と結晶多形の解析 小磯 宏喜1),望月 泰英1),吉田 傑2),永井 隆之3),磯部 敏宏1),中島 章1)(1)東京工業大学,2)ペンシルベニア州立大学,3)東京大学) Hiroki KOISO1),Yasuhide MOCHIZUKI1),Surugu YOSHIDA2),Takayuki NAGAI3),Toshihiro ISOBE1),Akira NAKAJIMA1)(1)Tokyo Institute of Technology,2)The Pennsylvania State University,3)University of Tokyo) |
Nov. 14 13:30 - 15:30 万国橋会議センター / Bankokubashi Kaigi Center 401+402室 / Room 401+402 |
|
Chair: 石川裕也(福井大学),望月泰英(東京工業大学) Yuya ISHIKAWA (Univ. of Fukui), Yasuhide MOCHIZUKI (Tokyo Institute of Technology) |
|
13:30-13:50 |
高圧下における新規無機化合物の合成と評価 丹羽 健1,2),佐々木 拓也2),長谷川 正1,2)(1)名古屋大学大学院工学研究科附属クリスタルエンジニアリング研究センター,2)名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻) Ken NIWA1,2),Takuya SASAKI2),Masashi HASEGAWA1,2)(1)Research Center for Crystalline Materials Engineering, Nagoya University,2)Department of Materials Physics, Nagoya University) |
13:50-14:10 |
高圧下における複分解反応を用いた様々な窒化物合成 川村 史朗1),村田 秀信2),牧内 楓3),山田 直臣3)(1)物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター,2)大阪公立大学 物質化学生命系専攻,3)中部大学 工学部 応用化学科) Fumio KAWAMURA1),Hidenobu MURATA2),Kaede MAKIUCHI3),Naoomi YAMADA3)(1)National Institute for Materials Science, Research Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),2)Osaka Metropolitan University, Department of Materials Science,3)Chubu University, Department of Applied Chemistry) |
14:10-14:30 |
高圧力下におけるメタンハイドレートの構造進化と安定性 門林 宏和(高輝度光科学研究センター) Hirokazu KADOBAYASHI(Japan Synchrotron Radiation Research Institute) |
14:30-14:40 | 休憩/Break |
14:40-15:00 |
二重ジグザグ鎖構造を持つ1T-MTe2 (M = V, Nb, Ta)で生じる局所原子変位の観測 片山 尚幸(名古屋大学) Naoyuki KATAYAMA(Nagoya University) |
15:00-15:20 |
第一原理計算による鉄中の窒化物クラスター形成予測 榎木 勝徳(島根大学) Masanori ENOKI(Shimane University) |
15:20-15:40 |
金属ナノクラスター設計のための電子状態密度の特徴解析と予測 柴田 基洋,溝口 照康(東京大学生産技術研究所) Kiyou SHIBATA,Teruyasu MIZOGUCHI(Institute of Industrial Science, The University of Tokyo) |
Nov. 14 16:00 - 17:35 万国橋会議センター / Bankokubashi Kaigi Center 401+402室 / Room 401+402 |
|
Chair: 東正樹(東京工業大学),堀尾眞史(東京大学) Masaki AZUMA (Tokyo Institute of Technology), Masafumi HORIO (Univ. of Tokyo) |
|
16:00-16:20 |
ハイエントロピーアンチモン化合物M1−xPtxSb (M = Ru, Rh, Pd, Ir)における超伝導 平井 大悟郎1),植松 直斗1),出口 和彦2),齋藤 晃3),片山 尚幸1),竹中 康司1)(1)名古屋大学大学院工学研究科,2)名古屋大学大学院理学研究科,3)名古屋大学未来材料・システム研究所) Daigorou HIRAI1),Naoto UEMATSU1),Kazuhiko DEGUCHI2),Koh SAITOH3),Naoyuki KATAYAMA1),Koshi TAKENAKA1)(1)Department of Applied Physics, Nagoya University,2)Graduate School of Science, Nagoya University,3)Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University) |
16:20-16:40 |
Pressure tuning of localization and superconductivity in LaOPbBiS3 and La2O2Bi3AgS6 袁 亞華(中南大学) Yahua YUAN(Central South University) |
16:40-17:00 |
アニオン遷移金属ハニカム層を有するLa2IOs2における12 Kでの超伝導 石川 孟1),矢島 健2),浜根 大輔1),今城 周作1),金道 浩一1),河村 光晶3)(1)東京大学物性研究所,2)名古屋大学大学院工学研究科,3)東京大学情報基盤センター) Hajime ISHIKAWA1),Takeshi YAJIMA2),Daisuke NISHIO-HAMANE1),Shusaku IMAJO1),Koichi KINDO1),Mitsuaki KAWAMURA3)(1)The Institute for Solid State Physics, the University of Tokyo,2)Graduate School of Engineering, Nagoya University,3)Information Technology Center, the University of Tokyo) |
17:00-17:20 |
ファンデルワールスヨウ化物GdGaIにおける励起子凝縮による四面体型磁気秩序 大熊 隆太郎(東京大学物性研究所) Ryutaro OKUMA(University of Tokyo Institute for Solid State Physics) |
17:20-17:35 |
Superconductivity induced by hole-doping in the nodal-line semimetal NaAlGe 池野辺 寿弥1),山田 高広2),平井 大悟郎1,3),山根 久典2),廣井 善二1)(1)東京大学物性研究所,2)東北大学多元物質科学研究所,3)名古屋大学院工学研究科) Toshiya IKENOBE1),Takahiro YAMADA2),Daigorou HIRAI1,3),Hisanori YAMANE2),Zenji HIROI1)(1)Institute of Solid State Physics, University of Tokyo,2)Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University,3)Department of Applied Physics, Nagoya University) |